[发明专利]MIS电容器及制造MIS电容器的方法在审
| 申请号： | 202110740686.8 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115548130A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陈超;罗周益;丛锋 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/334 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MIS电容器以及一种制造所述MIS电容器的方法。所述电容器包括半导体衬底，所述半导体衬底包括具有第一导电类型的第一部分和用于将所述第一部分耦合到输出节点的接触区。所述衬底在所述第一部分的表面上具有电介质且在所述电介质上具有电极。所述衬底包括具有第二导电类型的第二部分和具有所述第一导电类型的第三部分。所述第三部分可耦合到电源电压。所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间。所述第一部分和所述第二部分形成第一p‑n结，且所述第二部分和所述第三部分形成第二p‑n结。提供参考触点以用于将所述第二部分耦合到参考电压。提供另外的接触区以用于将所述第二部分耦合到所述输出节点。 | ||
| 搜索关键词： | mis 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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