[发明专利]高倍率外延生长GaN的氧化物气相外延法装置有效
| 申请号： | 202110742352.4 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113604872B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;周千禧 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/16;C30B25/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 肖明洲 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高倍率外延生长GaN的氧化物气相外延法装置，是一种用氧化物气相外延法(Oxide Vapor Phase Epitaxy，OVPE)生长氮化镓的装置。本发明的装置加装活性碳网或者还原纯铁网是用来降低生长区的水分压；加装压力顺序阀是用来保压控流；GaN基底处用涡流局部加热，这样便于外部控温。 | ||
| 搜索关键词： | 倍率 外延 生长 gan 氧化物 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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