[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110742903.7 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113340486A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 武斌;许克宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市美思先端电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘家社区观*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，其中，压力传感器包括具有栅齿结构和梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线和玻璃底座，硅应变膜为硅衬底的正面经过刻蚀和背面经过背腔腐蚀工艺后形成的具有正面梁膜、背腔结构的硅膜，栅齿结构位于硅应变膜的正面，压敏电阻位于栅齿结构的端部，金属引线和重掺杂接触区在硅应变膜的正面形成欧姆接触，玻璃底座为与硅应变膜背面进行键合的打孔玻璃。本发明通过采用在硅衬底的正面设置具有栅齿结构和梁膜结构的硅应变膜、压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线以及玻璃底座所形成的压阻式压力传感器，使得栅齿梁膜结构在保证压力传感器灵敏度的同时又能提高传感器线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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