[发明专利]一种低压MOSFET实现的耐高压LDO线性电源有效
| 申请号： | 202110744403.7 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113193750B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 周彬 | 申请（专利权）人： | 成都市安比科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158;H02M1/088;H02M1/32;H02M1/44;H03F3/45 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 张秀敏 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低压MOSFET实现的耐高压LDO线性电源，包括电源电压转换模块、低压多级增益提高模块、高压驱动模块、功率提供模块和电压钳位模块，其中电源电压转换模块输出低于MOSFET耐压界限的电压至低压多级增益提高模块以及输出功率提供模块的控制电压；低压多级增益提高模块输出高增益电压至高压驱动模块；高压驱动模块将输入的电压转换为电流再转换为高电压输出至功率提供模块；功率提供模块与电源输出端连接；电压钳位模块抽取取样电压并反馈至低压多级增益提高模块。本发明具有小面积、芯片集成度高的优点，相比传统的LDO电源，此结构有更高的电源抑制比，对外部电源有更强的抗干扰能力，提供了耐高压的电源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 mosfet 实现 高压 ldo 线性 电源 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都市安比科技有限公司，未经成都市安比科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110744403.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据加密方法、数据解密方法及存储介质
- 下一篇：自适应牵引松土机
