[发明专利]一种高密度屏蔽栅沟槽型场效应管器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110746009.7 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113270321A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 单建安;伍震威;梁嘉进;丁祎晓 | 申请（专利权）人： | 安建科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 袁燕清;童海霓 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新安街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种高密度屏蔽栅沟槽型场效应管器件的制造方法，属于功率半导体器件领域，用于解决现有场效应管制造方法无法进一步缩小元胞尺寸的问题，方法包括：衬底上形成第一导电型外延层和沟槽；在沟槽内形成沟槽绝缘层和屏蔽栅电极；在屏蔽栅电极上表面形成极间隔离层；在沟槽侧壁上形成栅氧化层；填充栅电极材料并回刻形成栅电极；在栅电极上方形成热氧化层，并在半导体表面形成第一介质层；进行电型离子注入；形成第二介质层，回刻后形成硬掩模；刻蚀半导体，形成接触孔；形成第二重掺杂导电型掺杂接触区；形成上表面金属，形成器件。本发明高密度屏蔽栅沟槽型场效应管器件的制造工艺流程，有利于进一步减少器件的元胞尺寸，降低器件导通电阻的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 屏蔽 沟槽 场效应 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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