[发明专利]JFET器件在审
| 申请号： | 202110746894.9 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113611732A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种JFET器件，包括：深阱区，在深阱区的选定区域的表面形成有栅极区、源区和漏区。在漂移区的顶部形成有漂移区场氧。在漂移区场氧上形成有多晶硅绕阻，多晶硅绕阻由多圈首尾相连的多晶硅线连接而成，多晶硅绕阻包括第一连接端和第二连接端。第一连接端位于最靠近漂移区场氧的第一侧的多晶硅线上且接0V电位，第二连接端位于最靠近漂移区场氧的第二侧的多晶硅线上且接漏极电位。漂移区场氧的第二侧不设置漏端多晶硅场板，使多晶硅绕阻的圈数最大化。本发明能增加漂移区场氧上的多晶硅绕阻的圈数，从而提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | jfet 器件 | ||
【主权项】：
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