[发明专利]测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 202110748238.2 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113471173A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 朱业凯;曹巍;陈雷刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种测试结构及测试方法，所述测试结构包括第一互连线层，所述第一互连线层包括至少一个第一测试线；位于所述第一互连线层上的接触层，所述接触层包括第一接触结构和位于所述第一接触结构一侧的多个第二接触结构，所述多个第二接触结构与所述第一接触结构位于同一所述第一测试线上，并与同一所述第一测试线电连接。在测试方法中，可通过获取测试结构中的第一接触结构与每个第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，然后根据所述电阻温度系数，得到第一互连线层中是否存在微观缺陷(例如晶粒缺陷、应力失配)，从而可有效的监测互连线层的质量变化，进而可为后续的电迁移和应力迁移等可靠性测试项目提供初期筛选，节省了测试资源。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110748238.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
