[发明专利]III族氧化物薄膜制备方法及其外延片在审
| 申请号： | 202110748306.5 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113471062A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 孙海定;方师;汪丹浩;梁方舟 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种III族氧化物薄膜制备方法及其外延片，方法包括：制备缓冲层(2)；在缓冲层(2)上外延III族氧化物薄膜(3)；其中，缓冲层(2)和III族氧化物薄膜(3)的晶格失配度小于10％，缓冲层(2)与III族氧化物薄膜(3)异质。通过在晶格互相匹配的缓冲层上外延III族氧化物薄膜，可以大大降低制备出的III族氧化物薄膜中的缺陷，获得质量优异的III族氧化物薄膜及器件。本公开的III族氧化物薄膜制备方法工艺兼容性强，原料成本低，适合对III族氧化物薄膜材料及器件的制备及推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氧化物 薄膜 制备 方法 及其 外延 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110748306.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
