[发明专利]一种提高碳化硅衬底质量的处理方法及装置在审
| 申请号： | 202110750303.5 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113488380A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李加林;刘星;张宁;姜岩鹏;刘家朋 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/67;B08B5/02 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 冯妙娜 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种提高碳化硅衬底质量的处理方法及装置，属于半导体材料清洁技术领域。该装置包括：上壳体和下壳体，所述碳化硅衬底放置在所述上壳体和下壳体中间，以使得所述碳化硅衬底分别与所述上壳体和下壳体之间形成密闭的第一气源腔和第二气源腔；所述第一气源腔内设置第一进气口和第一出气口，所述第二气源腔内设置第二进气口和第二出气口，清洁气体分别进入至第一气源腔和第二气源腔缓冲后流动至碳化硅衬底的上表面和下表面，并分别自所述第一出气口和第二出气口流出。使用该装置对碳化硅衬底进行清洁，能够提高碳化硅衬底C面和Si面的表面一致性，进而提高外延质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 衬底 质量 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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