[发明专利]半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110751587.X | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113507040A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 薛晓娥;宿家鑫;田思聪;吴承坤;佟存柱;王立军;迪特尔·宾贝格 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/24 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，其中的半导体激光器包括从下至上依次层叠的N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、激光器波导层、P型包层、P型盖层、绝缘层和P面电极，从P面电极向下刻蚀至P型包层形成两个光电调控沟道，两个光电调控沟道之间的区域形成中心波导区，两个光电调控沟道的外侧区域形成非注入区。本发明提供的半导体激光器通过光电调控沟道有效抑制高阶侧向模式，改变器件腔内的模式分布，同时光电调控沟道可以起到控制载流子注入的作用，削弱载流子侧向累积效应，改善远场稳定性，通过对载流子分布的调控及抑制FFB效应，改善光束质量。与传统脊型半导体激光器相比，具有光束质量好、远场受电流影响小、亮度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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