[发明专利]一种提升BE光刻工艺对位性能的方法在审
| 申请号： | 202110751667.5 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113671800A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 徐旻轩;韦达飞;张骐;郑鑫;李馨;史月琴 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升BE光刻工艺对位性能的方法，包括以下步骤：(a)通过前层BV光刻技术在硅片上制作对准标记沟槽和套刻标记沟槽；(b)在对准标记沟槽和套刻标记槽沟内通过电沉积形成Cu镀层，控制沉积量使对准标记沟槽和套刻标记沟槽的顶部预留一小段沟槽；(c)沉积TaN形成第一TaN层并经CMP平坦化；(d)在硅片表面覆盖上掩膜版，使对准标记沟槽和套刻标记沟槽上方的区域暴露形成矩形刻蚀区域，对矩形刻蚀区域进行刻蚀，形成沉积沟槽；(e)除去掩膜版，在硅片表面沉积第二TaN层，使对准标记沟槽、套刻标记沟槽及沉积沟槽形成呈现随形拓扑结构的对位标记。本发明能实现BE‑BV之间的直接套刻对位，降低后续工艺复杂性和成本，提高对位精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 be 光刻 工艺 对位 性能 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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