[发明专利]半导体测试结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110753566.1 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113471174A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王路广 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R27/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 董婷婷 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体测试结构的制备方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括基底及位于基底正面上的电容阵列结构，电容阵列结构包括多个呈阵列排布的电容器，各电容器的下电极通过电容接触结构与基底相连接，各电容器的上电极共用同一个电容极板，电容极板延伸至电容阵列结构一侧下部；对半导体结构进行背面减薄，直至露出电容接触结构；自所得结构的底部对电容阵列结构的边缘区域进行刻蚀，直至露出电容极板；于暴露出的电容极板的底部形成第一测试焊盘。上述半导体测试结构的制备方法，通过将电容阵列结构底部的基底进行去除，以露出电容接触结构，并在电容极板的底部形成焊盘，使得纳米探针技术可以应用于DRAM电容结构的电容值测量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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