[发明专利]一种薄膜微带电路的制备工艺在审
申请号: | 202110753986.X | 申请日: | 2021-07-04 |
公开(公告)号: | CN113594155A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 黄豹;郝春雨;樊志;王慧卉 | 申请(专利权)人: | 株洲宏达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01 |
代理公司: | 湖南省娄底市兴娄专利事务所(普通合伙) 43106 | 代理人: | 邬松生 |
地址: | 412000 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种薄膜微带电路的制备工艺,它包括有以下步骤:1)、清洗:基板表面的污渍清洗干净;2)、溅射:通过物理气相沉积的方法将金属薄膜制备在基板表面;3)、光刻:通过匀胶、曝光、显影将薄膜电路图形从掩模版上以光刻胶的形式转移到基板表面;4)、蚀刻:采用化学腐蚀的方法去除不需要的金属薄膜,最终在基板上留下微带电路;5)、表面处理:利用电镀的方法在薄膜电路表面制备金层;6)、划片:用切割机将制备在基板上的薄膜电路切割成单个薄膜电路基片;测试即成。本方案制备的薄膜电路参数范围宽、精度高、温度频率特性好,批次一致性好、可靠性高。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 微带 电路 制备 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲宏达电子股份有限公司,未经株洲宏达电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110753986.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的