[发明专利]一种钙钛矿薄膜缺陷态的气相钝化方法在审

专利信息
申请号: 202110754198.2 申请日: 2021-07-02
公开(公告)号: CN113540363A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 李海方;李美成;陈帅霖;黄浩;纪军;崔鹏;王欣欣;闫路遥;杜淑贤;赵志国;秦校军 申请(专利权)人: 华北电力大学;华能集团技术创新中心有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102206*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种钙钛矿薄膜缺陷态的气相钝化方法,包括如下步骤:(1)采用物理化学法将钙钛矿前驱液涂覆于导电基底上,经退火处理后形成钙钛矿薄膜;(2)将步骤(1)所述的涂覆有钙钛矿薄膜的导电基底送入反应腔内;(3)将特定的电压加载于步骤(2)所述的导电基底上,进而实现向基底上涂覆的钙钛矿薄膜加载电压;(4)使用缓冲气体将用于缺陷态钝化的气体分子通入至步骤(2)所述的反应腔内,与步骤(3)所述的已加载电压的钙钛矿薄膜进行化学反应;(5)将步骤(4)所述的钙钛矿薄膜和气体分子的反应活性经原位表征系统进行检测,根据反应活性的检测结果即可判断钙钛矿薄膜缺陷态的钝化。所述方法是通过向钙钛矿薄膜施加电场,诱发钙钛矿薄膜缺陷态与气体分子发生化学反应,实现钙钛矿薄膜缺陷态的钝化。本发明具有条件可控、重复准确性高等优点。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 薄膜 缺陷 钝化 方法
【主权项】:
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