[发明专利]增益器件、半导体激光器及半导体激光器的制作方法有效
| 申请号： | 202110754239.8 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113471812B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李健;韦欣;李川川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种增益器件，包括：顶保护层、窗口层、有源层和双波长分布式布拉格反射区，双波长分布式布拉格反射区包括第一分布式布拉格反射区和第二分布式布拉格反射区；窗口层设置在有源层上；有源层设置在第一分布式布拉格反射区或第二分布式布拉格反射区上，用于吸收通过窗口层的泵浦光的能量并发射激光；第一分布式布拉格反射区用于改变经过有源层后的泵浦光的传播方向，并将传播方向改变后的泵浦光反射至有源层，第二分布式布拉格反射区用于改变依次经过窗口层和有源层后的第一反射激光的传播方向，并将传播方向改变后的第一反射激光反射至有源层。本发明还提供了一种半导体激光器和半导体激光器的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 增益 器件 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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