[发明专利]相变超晶格材料及其相变存储器单元有效
| 申请号： | 202110755173.4 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113594359B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 丁科元;饶峰 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/10 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 关向兰 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种相变超晶格材料及其相变存储器单元，所述相变超晶格材料包含半导体材料层与半金属材料层，所述半导体材料层为(A |
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| 搜索关键词： | 相变 晶格 材料 及其 存储器 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
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