[发明专利]位置测量装置及测量方法在审
申请号: | 202110755828.8 | 申请日: | 2021-07-05 |
公开(公告)号: | CN114188236A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 高桑真歩 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式提供一种对衬底上形成的电路图案的位置进行测量的位置测量装置及测量方法。实施方式的位置测量装置具备衬底保持部、投影部、液体供给部、位置测定部、摄像部、位置测定部及控制部。衬底保持部能够保持包含电路图案的至少一部分的衬底。投影部对保持在衬底保持部的衬底照射照明光,使照射到衬底的照明光的来自衬底的反射光透过。液体供给部能够向保持在衬底保持部的衬底与投影部之间的空间供给液体。摄像部供透过投影部的反射光入射,产生基于反射光的图像信号。位置测定部获取与衬底保持部的位置相关的位置信息。控制部基于位置信息及图像信号,决定衬底内的至少一部分电路图案的坐标位置。 | ||
搜索关键词: | 位置 测量 装置 测量方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造