[发明专利]一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110756423.6 申请日: 2021-07-05
公开(公告)号: CN113488585A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 郑明;关朋飞;郭立童 申请(专利权)人: 中国矿业大学
主分类号: H01L43/10 分类号: H01L43/10;H01L43/12;C30B29/30;C30B23/02;C23C14/28;C23C14/08
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 李悦声
地址: 221116 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法,属于电子元件领域。其具有(111)取向的高性能PMN‑PT铁电单晶衬底,高性能PMN‑PT铁电单晶衬底上表面设有外延生长特性的钙钛矿型LaVO3反铁磁薄膜;通过控制施加在该多铁异质结构上的直流电场强度,使得高性能PMN‑PT铁电单晶衬底诱导出压电应变,该应变通过刚性的外延界面传递至钙钛矿型LaVO3反铁磁薄膜,从而实现当直流电场撤去时LaVO3薄膜应变和电阻回到初始态,或者不会回到初始态这两种不同的状态。本方法制备反铁磁/铁电多铁异质结构方法简单,生产方便,具有广泛的实用性。
搜索关键词: 一种 反铁磁 铁电多铁异质 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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