[发明专利]一种微透镜阵列及其制备方法、垂直腔面发射激光器结构有效
| 申请号： | 202110756538.5 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113484940B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 苗霈;刘恒;王俊;刘畅;肖垚;谷飞 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00;H01S5/02;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静玉 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微透镜阵列及其制备方法、垂直腔面发射激光器结构，方法包括：在衬底的第一表面形成微透镜形状的光刻胶掩膜；基于刻蚀气体和钝化气体，采用干法刻蚀工艺对光刻胶掩膜和衬底进行刻蚀，使得衬底形成预设形状的微透镜阵列，在进行干法刻蚀的过程中，调节钝化气体的比例，使得刻蚀的选择比比值逐渐减小。通过实施本发明，在衬底上形成光刻胶掩膜，并对光刻胶掩膜和衬底进行干法刻蚀得到微透镜阵列；在干法刻蚀的过程中，加入钝化气体改变干法刻蚀的选择比，同时，在干法刻蚀的过程中，通过调整钝化气体的比例，使得刻蚀的选择比逐渐减小，即采用分步刻蚀的方式，每步采用不同的选择比，最终得到具有较好准直效果的高质量微透镜阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透镜 阵列 及其 制备 方法 垂直 发射 激光器 结构 | ||
【主权项】：
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