[发明专利]一种用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法及其产品有效

专利信息
申请号: 202110757175.7 申请日: 2021-07-05
公开(公告)号: CN113529050B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 高冀芸;刘晨辉;王访;杨黎;郭胜惠;冯曙光 申请(专利权)人: 云南民族大学;昆明理工大学
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/511;C23C16/56
代理公司: 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 代理人: 张换君
地址: 650500 云南省昆明*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种用于金刚石膜抛光的等离子体刻蚀法及其产品,属于金刚石膜制备与抛光技术领域。本发明采用微波化学气相沉积法沉积出初始金刚石膜,初始金刚石膜沉积完成后进行微波等离子体刻蚀,获得金刚石膜。本发明采用无接触法对金刚石膜抛光,选择性刻蚀(111)晶面锥顶,大幅度降低金刚石膜表面的粗糙度,可用于对金刚石膜光学镜头、热沉积金刚石膜等器件的抛光,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 用于 金刚石 抛光 等离子体 刻蚀 及其 产品
【主权项】:
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