[发明专利]具有衬底电极的增强型的P型氮化镓器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110758918.2 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113488536A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 张元雷;王玉丛;孙志伟;王惟生;赵胤超;文辉清;刘雯 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/41;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有衬底电极的增强型的P型氮化镓器件，包括衬底和依次设置在衬底上的GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型氮化镓层以及介电层，P型氮化镓层上设有源电极和漏电极，AlGaN势垒层上设有衬底电极，P型氮化镓层上设有凹槽且凹槽的深度小于P型氮化镓层的厚度，凹槽上设有栅电极。凹槽的深度小于P型氮化镓层的厚度，提升了器件的饱和电流的数值，使得器件具有很大的迁移率和电流；衬底电极可以有效的耗尽p型氮化镓层中的空穴，从而使器件的阈值向负漂移，形成增强型器件(阈值电压小于0)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 衬底 电极 增强 氮化 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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