[发明专利]一种高g值、高灵敏度MEMS加速度传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110759518.3 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113504392A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张广平;王雪峰;王敏锐;刘杨 | 申请（专利权）人： | 美满芯盛（杭州）微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 苏州瑞光知识产权代理事务所(普通合伙) 32359 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 311231 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高g值、高灵敏度MEMS加速度传感器，属于一种MEMS加速度传感器，包括衬底、器件层和盖板，所述衬底和所述盖板分别从所述器件层的两侧键合所述器件层，所述器件层包括外框、质量块和四个支撑梁，所述质量块和四个所述支撑梁位于所述外框的内部；本发明通过采用4个T型结构支撑梁连接质量块的设计方案，创新性的设计了x、y、z三个轴向的止挡结构，传感器采用了盖板‑器件层‑衬底的三明治封装结构，易于实现批量晶圆级封装；通过支撑梁采用双E型结构设计，极大提高了器件输出灵敏度；优化了器件层与盖板、衬底之间的压膜阻尼，提升了传感器整体动态性能，延长了器件工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 mems 加速度 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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