[发明专利]一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳在审
| 申请号： | 202110759587.4 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN113451221A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;王浩东;袁昊;汤晓燕;刘科宇;韩超;吴勇;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/10 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高度可调节式碳化硅功率器件封装外壳，包括：主盖、副盖和芯片承载本体；主盖，底部设有第一插接槽；副盖，顶部与第一插接槽可拆卸连接，底部设有第二插接槽；第二插接槽，与芯片承载本体的顶部可拆卸连接；芯片承载本体内设置有SiC芯片。本发明通过主盖和副盖的可拆卸连接以及副盖和芯片承载本体的可拆卸连接，在主盖和芯片承载本体之间可以将副盖拆卸或连接。当主盖和芯片承载本体之间连接副盖时，增加了SiC器件的整体高度(厚度)，从而在使用时可以对SiC芯片形成较为可靠的保护。当将副盖从主盖和芯片承载本体之间拆下时，SiC器件的整体高度较低，满足测试需求，提升了SiC器件使用和测试时的便捷性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高度 调节 碳化硅 功率 器件 封装 外壳 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学芜湖研究院，未经西安电子科技大学芜湖研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110759587.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
