[发明专利]一种富含氧空位的一氧化钴/铁酸钴纳米片阵列结构催化剂及其制备与应用有效

专利信息
申请号: 202110760553.7 申请日: 2021-07-06
公开(公告)号: CN113667993B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 郑灵霞;吕卓清;郑华均;叶伟青 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B11/091;C25B11/052;C25B11/031
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 黄美娟;朱思兰
地址: 310014 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种富含氧空位的CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂,按如下方法制备得到:将钴盐与铁盐的混合溶液与有机配体溶液混合,加入预处理后的泡沫镍基底,于100~140℃下水热反应1~6h,之后取出泡沫镍,经洗涤干燥后即在泡沫镍基底上得到前驱体材料;将所得负载有前驱体材料的泡沫镍放入管式炉中,同时放入还原剂硼氢化钠粉末,在惰性气体保护下升温至250~450℃煅烧0.5~4.5h,得到CoO/CoFe2O4纳米片阵列结构催化剂;本发明制备方法操作简单,重现性好,成本低廉且环境友好,将所制备的CoO/CoFe2O4催化剂材料用于析氧反应,在碱性溶液表现出较低的过电位,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 富含 空位 氧化钴 铁酸钴 纳米 阵列 结构 催化剂 及其 制备 应用
【主权项】:
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