[发明专利]一种光纤窗多碱阴极及其制作方法

摘要

本发明公开了一种光纤窗多碱阴极，包括光纤窗、多碱阴极以及在光纤窗的输出面镀制的一层Al2O3或Hf2O3膜层，该多碱阴极位于该膜层上。本发明还公开了一种光纤窗多碱阴极的制作方法，步骤包括：S1对光纤窗的输出面进行清洗；S2在光纤窗的输出面上镀制膜层，具体为在光纤窗的输出面上镀制一层厚度为10nm～20nm的Al2O3或Hf2O3膜层；S3制作多碱阴极，具体为在镀制好Al2O3或Hf2O3膜层的光纤窗上制作多碱阴极。本发明的光纤面板输入窗用于超二代像增强器，在整个寿命期间，多碱光电阴极上不再出现黑斑(点)，解决了这一长期存在的问题。