[发明专利]一种短沟道PMOS管负偏置温度不稳定性的等效电路在审
| 申请号： | 202110762145.5 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113378503A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张俊安;江敏;张庆伟;李铁虎;张光建 | 申请（专利权）人： | 重庆理工大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F119/02;G06F119/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 400054 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种短沟道PMOS管负偏置温度不稳定性的等效电路，包括一个PMOS管、一个压控电压源、第一压控电流源和第二压控电流源、一个加法器、第一至第六乘法器、第一至第十三电压源及一个接地端。本申请是根据PMOS管的负偏压温度不稳定性效应的可靠性物理研究和实验测试结果提出的，该等效电路结构针对短沟道PMOS管，能够使用标准Spice模型，在PMOS管周围利用压控电压源和压控电流源搭建简单的PMOS管退化电路，即模拟PMOS管在不同时刻、不同温度、不同栅压及不同器件尺寸下对应的PMOS管器件的衰减，进而得出该器件整体性能的退化，即通过该等效电路模型能够得出PMOS管的退化趋势，达到温度、时间、栅压、宽长比等各个因素共同影响器件退化的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 pmos 偏置 温度 不稳定性 等效电路 | ||
【主权项】：
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