[发明专利]复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备在审
| 申请号： | 202110762279.7 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113658849A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 高博;黄伯宁;万玉喜 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 张静尧 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决因SiC成本高，导致AlxGayN基半导体器件成本高的问题。复合衬底，包括：承载层、碳化硅层以及至少一层外延层。碳化硅层设置在承载层上，与承载层键合；碳化硅层的材料包括单晶碳化硅。至少一层外延层设置在碳化硅层远离承载层一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 及其 制备 方法 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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