[发明专利]一种基于气相外延反应机构的自公转基座嵌入结构在审
| 申请号： | 202110768433.1 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113584583A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张海涛;山本晓;许彬 | 申请（专利权）人： | 无锡吴越半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B29/40;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 谌伟 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及GaN制备相关技术领域，且公开了一种基于气相外延反应机构的自公转基座嵌入结构，包括自公转基座和安装台，自公转基座设置在安装台上，所述自公转基座的倾斜表面处设置有沉积衬底，自公转基座的倾斜表面顶部开设有与沉积衬底相邻的嵌入槽，嵌入槽内嵌入有嵌入块。该基于气相外延反应机构的自公转基座嵌入结构，在自公转基座自转倾斜面上设置嵌入块，通过对嵌入块进行维护更换，能够有效的将粘附在自转倾斜面的生长晶体清除，避免晶体堆积过多，区别于传统的自公转基座斜面结构，避免自公转基座倾斜面顶部位置晶体生长影响气流平顺流通的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 外延 反应 机构 公转 基座 嵌入 结构 | ||
【主权项】：
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