[发明专利]一种钯掺杂的铝钴铬铁镍高熵合金复合电极及其制备方法有效
| 申请号： | 202110769810.3 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113224324B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王小炼;杨茂;王清远;冯威;吴小强;刘永辉;吴裕程 | 申请（专利权）人： | 成都大学 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/86;H01M4/92;H01M8/1011 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 何凡 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种钯掺杂的铝钴铬铁镍高熵合金复合电极及其制备方法，选择铝钴铬铁镍高熵合金与金属钯，通过电化学工作站和三电极体系进行快速掺杂即可得到。本发明采用外部协同解毒策略，利用铝钴铬铁镍高熵合金在乙醇氧化反应（EOR）过程中形成羟基氧化物（CoOOH/FeOOH/NiOOH）产生高氧化性能的羟基氧（*OOH）协同氧化钯表面的CO（*CO+*OOH→H |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 铝钴铬铁镍高熵 合金 复合 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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