[发明专利]一种基于键合工艺的FD-SOI的背面深沟道隔离工艺有效
| 申请号： | 202110769920.X | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113284840B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 高峰;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;H01L21/027;H01L21/50;H01L21/60;H01L25/07 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 曹慧萍 |
| 地址： | 510535 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉半导体技术领域,公开了一种基于键合工艺的FD‑SOI的背面深沟道隔离工艺，通过在在第一芯片的最上层的金属连线层制作M个第一键合Pad、在第二芯片的最上层的金属连线层制作M个第二键合Pad，然后将第一芯片和第二芯片对准键合，使第一芯片上的M个第一键合Pad与第二芯片上的M个第二键合Pad一一电连接，可以减小集成第一芯片和第二芯片时所需用的面积，另外第一芯片中的隔离沟槽和第二芯片中的隔离沟槽上下设置，减小隔离沟槽占整体芯片面积的比例，进而能够减小芯片面积；最后第二芯片在制作通孔层时同时制做深沟道隔离，从而大幅降低芯片制造的成本和周期，同时由浅沟道隔离进化到深沟道隔离增强了芯片器件的隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 工艺 fd soi 背面 深沟 隔离工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
