[发明专利]一种存储模式可切换的磁随机存储器及制造方法在审

专利信息
申请号: 202110770061.6 申请日: 2021-07-07
公开(公告)号: CN113488583A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 王开友;盛宇 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L43/02 分类号: H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种存储模式可切换的随机存储器,应用于数据存储技术领域,包括:两个电磁部,用于接入电流,磁记录部,设置在该两个电磁部之间,该磁记录部包括自旋轨道耦合层和磁性隧道结,该自旋轨道耦合层,用于在该电流的作用下,产生自旋流,该两个电磁部,还用于在该自旋流的作用下,产生两个磁矩指向相反的磁畴,该磁性隧道结,用于基于该两个磁矩指向相反的磁畴产生磁畴壁,钉扎区,设置在每个该电磁部与该磁记录部之间,截断区,设置在每个所述电磁部,位于与所述钉扎区相对的一侧,该磁性隧道结,还用于在该自旋流的作用下,驱动该磁畴壁进行往复运动,实现磁矩的定向反转,该电磁部还用于在该电流的作用下,使磁畴壁在其中湮灭。
搜索关键词: 一种 存储 模式 切换 随机 存储器 制造 方法
【主权项】:
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