[发明专利]一种具有超高储能密度的聚合物薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110773966.9 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113429607A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 邓元;张玉蕾;赵未昀 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学杭州创新研究院 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L27/16;H01G4/18 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 鲍亚平 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有超高储能密度的聚合物薄膜及其制备方法，通过先将PDVF溶解于DMF溶液中制得PVDF胶体，之后对PVDF胶体进行脱气泡处理后涂覆于基片上形成PVDF湿膜，待所述PVDF湿膜变干后制得PVDF干膜，最后将PVDF干膜依次进行热处理、冷却、清水中浸泡，脱落后烘干，制得所述具有超高储能密度的聚合物薄膜，由α相和γ相组成，PVDF薄膜内无明显的孔洞和裂纹等缺陷，且PVDF薄膜表面平整，厚度均一，厚度约为5‑15μm。所述的具有超高储能密度的聚合物薄膜，击穿场强和储能密度有大幅度的提升，击穿场强大于6000kV/cm，储能密度约为31J/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 超高 密度 聚合物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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