[发明专利]自对准图形工艺方法有效
| 申请号： | 202110776216.7 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113517179B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 金星;李冉;李昇;孙正庆 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自对准图形工艺方法，涉及半导体制造技术领域，用于解决微小图案制作过程中，易造成尺寸失效和结构坍塌的问题，该工艺方法包括：在目标层上形成第一硬掩膜层、图案化的牺牲层和第二硬掩膜层，形成第一牺牲图案，第一牺牲图案中第二硬掩膜层的侧壁形成凹坑；在第一硬掩膜层和各第一牺牲图案上形成第一侧墙材料层，第一侧墙材料层具有嵌设在凹坑内的侧墙延伸部；去除部分第一侧墙材料层，保留各第一牺牲图案侧壁上的第一侧墙材料层；去除各第一牺牲图案中的牺牲层形成多个第一侧墙图案；将各第一侧墙图案转移以在目标层上形成目标图案。本发明用于改善制作微小图案时造成的尺寸失效和结构坍塌的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 图形 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
