[发明专利]一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法及其产品和应用有效
| 申请号： | 202110777018.2 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113481000B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 臧志刚;蒋思奇;赵双易 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C09K11/61 | 分类号： | C09K11/61;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法及其产品和应用，属于纳米晶材料制备技术领域。本发明公开了一种零维掺杂铯铜溴纳米晶的制备方法，主要采用热注入的方法进行制备，实现对零维铯铜溴纳米晶进行铅掺杂，可以在零维铯铜溴纳米晶自身拥有的自陷态激子蓝光宽光谱发射的基础上，新出现由铅掺杂引起的自陷态激子红光宽光谱发射，使其可以在零维铅掺杂铯铜溴中同时出现两种自陷态激子发射，这两种发射的PLQY相当且都具有宽的发射光谱，因此出现了覆盖整个可见光光谱的白光发射；同时由于自陷态激子导致的宽的斯托克斯位移，几乎没有自吸收现象。本发明的制备方法具有低成本、低条件、高可重复性等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 铯铜溴 纳米 制备 方法 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
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