[发明专利]一种带内外电位保护环的肖特基二极管有效
| 申请号： | 202110777557.6 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113471302B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 牛崇实;林和;洪学天;黄宏嘉 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 赵银萍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种带内外电位保护环的肖特基二极管，包括：重掺杂硅衬底、轻掺杂外延层、轻掺杂区域以及保护介电层；其中，轻掺杂外延层与重掺杂硅衬底具有相同导电性，且在轻掺杂外延层与所述重掺杂硅衬底中通过预设方法生成所述轻掺杂区域；其中，在保护介电层中打开窗口，通过保护介电层形成与肖特基电极势垒层的阳极金属化，同时，保护介电层形成与肖特基电极势垒层的阴极金属化；其中，轻掺杂区域包括：内部保护环、外部电势环以及内部保护环平行条纹，且在外部电势环的外延层还包括：附加电势环和N型限制环；基于上述方法使得肖特基二极管的反向电压增加且降低了反向电流值，从而增加了肖特二极管的产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内外 电位 保护环 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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