[发明专利]基于CsI离子掺杂空穴传输层的高性能自供电钙钛矿型光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110779153.0 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113517405B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李国新;王玉坤;孙文红;黄丽香;张小小;杨佳;邱鑫 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | H10K30/15 | 分类号： | H10K30/15;H10K85/60;H10K71/12;H10K71/40;H10K30/60 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 卢波 |
| 地址： | 530004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电探测器件技术领域，尤其涉及一种基于CsI离子掺杂空穴传输层的高性能自供电钙钛矿型光电探测器及其制备方法。一种基于CsI离子掺杂空穴传输层的高性能自供电钙钛矿型光电探测器，主要由依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层、空穴传输层、修饰层和金属阳极组成，所述空穴传输层材料为Spiro‑OMeTAD。本发明使用了溶液处理方式，在Spiro‑OMeTAD溶液中引入了少量的CsI，有效地抑制了Spiro‑OMeTAD膜的聚集和水解，减少了针孔和空洞，增强空穴传输层的载流子萃取能力及迁移率，显著提高了光电探测器的检测率和稳定性。该制备过程简单，极大降低器件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 csi 离子 掺杂 空穴 传输 性能 供电 钙钛矿型 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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