[发明专利]一种基于高导电性能二维铋薄膜的器件及制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110779226.6 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113540333A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陶立;赵成栋;何平;仲雯;朱正瑞;张斯鑫;刘安晗;康定轩 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L35/18 | 分类号： | H01L35/18;H01L35/34;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/58;C30B23/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于优异电学性能的二维铋薄膜的器件及其制备方法，包括基底和电极。利用电子束蒸镀的工艺首次在纯硅片基底上制备出高导电性能的二维铋薄膜，并通过光刻和电子束蒸镀的工艺在二维铋薄膜上制作出特定形状的电极。该方法工艺可控，可大规模制备高导电性能的二维铋器件，二维铋导电薄膜与基底材料以层状/层状形式复合,使二维铋薄膜具有长平均自由程、高载流子迁移率、高热电转换效率的特征。具有表面平整度高、材料厚度可调、化学性质稳定等优点，且使用寿命长、材料耐久性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 导电 性能 二维 薄膜 器件 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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