[发明专利]一种去除光刻胶的方法在审
| 申请号： | 202110781768.7 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113555281A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 赵利芳;杨云春;马琳 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 原婧 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种去除光刻胶的方法，包括：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域；去除牺牲层，以使得牺牲层和光刻胶层被剥离去除，进而能够在经过硬烤处理之后，将不容易去除的光刻胶层，通过去除牺牲层的方式，将光刻胶层去除，进而有效去除光刻胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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