[发明专利]一种集成电路中的微孔填充工艺在审
| 申请号： | 202110782312.2 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113539953A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杨冠南;姚可夫;吴润熹;崔成强 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H05K3/00 |
| 代理公司： | 佛山市君创知识产权代理事务所(普通合伙) 44675 | 代理人： | 杜鹏飞 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种集成电路中的微孔填充工艺，包括以下步骤：(1)选用金属作为填充材料，将部分金属伸入设置在基板上的微孔中；(2)在可控气氛下，将金属熔融和/或熔断，熔化后的金属通过毛细现象填充微孔；(3)对已填充的微孔表面进行抛光；(4)对基板进行图形电镀，使得基板上各个微孔互连，形成线路层，从而获得带有线路层的载板。该工艺能够实现大深颈比的微孔填充，并且不会发生孔洞与夹口填充等缺陷，另外，该工艺中的填孔效率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 中的 微孔 填充 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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