[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202110782733.5 申请日: 2021-07-12
公开(公告)号: CN114038913A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 林士尧;李筱雯;林志翰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 半导体装置,包括多个半导体层,垂直地彼此分开。每一半导体层沿着第一横向方向延伸。半导体装置包括栅极结构,沿着第二横向方向延伸并包括至少一下侧部分包覆每一半导体层。栅极结构的下侧部分包括多个第一栅极部分以分别横向对准半导体层,且其中每一第一栅极部分的末端各自沿着该第二横向方向延伸并具有第一弧形轮廓。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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