[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110782739.2 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN114038801A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 傅世豪;周鸿儒;张哲纶;郭俊铭;彭远清;林颂恩;郑农哲;王俊尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置的形成方法。本发明的方法包括接收含有半导体层的堆叠的工件；沉积第一垫氧化物层于堆叠的含锗顶层上；沉积第二垫氧化物层于第一垫氧化物层上；沉积垫氮化物层于第二垫氧化物层上；以及采用第一垫氧化物层、第二垫氧化物层、与垫氮化物层作为硬遮罩层，以图案化堆叠。沉积第一垫氧化物层的步骤采用第一氧等离子体功率，沉积第二垫氧化物层的步骤采用第二氧等离子体功率，且第二氧等离子体功率大于第一氧等离子体功率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
