[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202110785513.8 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113506770A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王素丽 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，其制备方法包括：在衬底表面形成隔绝层；在隔绝层形成凹槽，凹槽贯穿隔绝层；在凹槽内和隔绝层上形成保护层；在保护层上形成介质层；形成接触孔，接触孔分别贯穿保护层和介质层至衬底表面。本发明的半导体器件的制备方法不仅可用于化学气相沉积也可用于物理气相沉积中金属导线短路的工艺中。本发明的制备方法简单、易操作，还可以避免金属前介电层结构中的隔绝层与形成的磷酸接触，保护金属前介电层结构的完整性，从而防止隔绝层易被腐蚀导致半导体器件短路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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