[发明专利]N型TOPCon太阳能电池的制作方法在审
申请号: | 202110785634.2 | 申请日: | 2021-07-12 |
公开(公告)号: | CN113571411A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 袁玲;王芹芹;瞿辉;曹玉甲 | 申请(专利权)人: | 江苏顺风新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L21/311;H01L31/20;H01L21/67 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 朱晓凯 |
地址: | 213123 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种N型TOPCon太阳能电池的制作方法,其采用了新的硼扩思路及方法,通过采用降低沉积反应源量降低硼扩后的表面富硼层、采用薄BSG工艺提高表面浓度,进而提升FF,大幅度降低成本和缩短了整个工艺时间。 | ||
搜索关键词: | topcon 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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