[发明专利]一种缺陷型钴酸镍/多孔碳的制备方法在审
申请号: | 202110787176.6 | 申请日: | 2021-07-13 |
公开(公告)号: | CN113621986A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 柴东凤;郭文鑫;曲孟榆 | 申请(专利权)人: | 齐齐哈尔大学 |
主分类号: | C25B11/031 | 分类号: | C25B11/031;C25B11/04;C25B1/04;C01G53/00;C01B32/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 161006 黑*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明涉及一种缺陷型钴酸镍/多孔碳的制备方法。本发明的目的是要解决现有钴酸镍导电性较差和活性位点较少的问题,提供一种可提高其作为电催化析氢催化剂的制备方法。方法:以碱式碳酸镁、烟灰、氯化锌、硝酸镍、硝酸钴和尿素为原料,采用高温煅烧、水热及部分还原法,得到缺陷型钴酸镍/多孔碳复合材料,为提高现有钴酸镍电催化析氢性能提供了一种制备方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 缺陷 型钴酸镍 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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