[发明专利]一种计算合金化元素在镍基单晶高温合金双相界面附近层浓度的方法在审
| 申请号： | 202110787601.1 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113555068A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 赵文月;李春龙;胡鹏;裴延玲;李树索;宫声凯 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G16C20/10 | 分类号： | G16C20/10 |
| 代理公司： | 北京天汇航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11987 | 代理人： | 黄川;史继颖 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种计算合金化元素在镍基单晶高温合金双相界面附近层浓度的方法，包括步骤：采用(002)γ||(001)γ'共格界面取向堆积构成γ/γ'界面体系模型并确定合金化元素在γ/γ'界面附近每一原子层的占位概率；提出合金化元素所在层层能量的计算模型；计算合金化元素在γ/γ'界面体系置换前后的层置换能；计算合金化元素在某一原子层的层浓度，评价合金化元素γ/γ'的分配行为。该方法考虑了界面对合金化元素分配行为的影响，并缩小范围，细致地研究合金化元素在界面附近某一原子层的浓度，可以直观体现合金化元素在纯净γ/γ'界面体系以及含有其他掺杂元素γ/γ'界面体系中的分配行为。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 计算 合金 元素 镍基单晶 高温 界面 附近 浓度 方法 | ||
【主权项】：
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