[发明专利]等离子体蚀刻系统在审
| 申请号： | 202110788799.5 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN114121587A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 杨建勋;杨建伦;张克正;喻鹏飞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 任芸芸;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提出一种等离子体蚀刻系统。等离子体蚀刻系统用于金属氧化物的自由基活化蚀刻。等离子体蚀刻系统包括腔室；配置以保持其上设置有一金属氧化物的芯片的芯片保持器；流体地连接至腔室，且配置以将气体供应至腔室的第一气体管线；配置以从气体产生等离子体的等离子体产生器；在等离子体产生器及芯片保持器之间，配置以增加来自等离子体的离子的动能的栅系统；在栅系统及芯片保持器之间，配置以产生电子且中和离子以产生自由基的中和器；以及流体地连接至腔室，且配置以将一前驱物供应到芯片上的第二气体管线。自由基促进通过前驱物的金属氧化物的蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110788799.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车辆用门
- 下一篇：多用途插管固定器及操作方法
