[发明专利]一种提高二氧化氮半导体传感器选择性的方法有效
| 申请号： | 202110790818.8 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113588876B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 刘皓;徐瑶华;张晓;赵文瑞;明安杰 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于气体传感器制备技术领域的一种提高二氧化氮半导体传感器选择性的方法，采用光刻及刻蚀工艺在硅基体上刻蚀出微型色谱柱结构，同时在色谱柱两端刻蚀出进气口与出气口，并在出气口处制备半导体传感器加热电极与测试电极，之后在色谱柱上加载固定相，在传感器电极上加载三氧化钨气敏材料，并对色谱柱及传感器进行密封。本发明利用色谱柱分离功能将空气中的二氧化氮与二氧化硫及臭氧等干扰气体分离，提高了传感器对二氧化氮的选择性。同时，将色谱柱微型化并与半导体传感器进行集成，能够显著降低传感器的体积，利于实现传感器的小型化，适用于大气中二氧化氮的便携式精确监测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 二氧化氮 半导体 传感器 选择性 方法 | ||
【主权项】：
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