[发明专利]基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110792656.1 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115621327A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 叶建东;胡天澄;巩贺贺;郁鑫鑫;徐阳;张贻俊;任芳芳;顾书林;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 江苏法德东恒律师事务所 32305 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法。该二极管的结构包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、JBS结构和阳极，JBS结构包括N‑漂移层、PN异质结和Ni纳米岛，其中，N‑漂移层上设有沟槽结构，位于沟槽内侧面和底部的P型金属氧化物与N‑漂移层构成PN异质结；Ni纳米岛位于沟槽的顶部，与N‑漂移层形成肖特基接触；PN异质结与肖特基接触相并联。本发明利用Ni薄膜在快速热退火下形成的自组装纳米岛代替光刻胶作为掩膜，省去了光刻的步骤，大大简化了制备工艺，不仅缩短了制备周期，而且节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 组装 ni 纳米 jbs 功率 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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