[发明专利]具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件在审
| 申请号： | 202110793154.0 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113948584A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | S·拉斯库纳 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件。垂直导电电子功率器件由具有第一导电类型并具有表面的宽带隙半导体的主体形成，并且由漂移区和由该表面限定的多个表面部分形成。该电子器件还由多个具有第二导电类型的第一注入区和多个金属部分形成，该多个第一注入区从表面延伸到漂移区中，该多个金属部分布置在该表面上。每个金属部分与多个表面部分中的相应表面部分肖特基接触，以形成由第一肖特基二极管和第二肖特基二极管形成的多个肖特基二极管，其中，第一肖特基二极管在平衡时具有肖特基势垒，该肖特基势垒的高度不同于第二肖特基二极管的肖特基势垒的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结势垒肖特基 二极管 宽带 半导体 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司，未经意法半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110793154.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
