[发明专利]一种MOS型超结功率器件的终端结构在审

专利信息
申请号: 202110793513.2 申请日: 2021-07-13
公开(公告)号: CN113517336A 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 赵建明;陈龙;张宜尧;陈彦旭;陈勇;徐开凯 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于功率半导体技术领域,公开了一种MOS型超结功率器件的终端结构,从器件边缘向器件有源区方向依次为终端区、过渡区和元胞区,终端区、过渡区和元胞区共用第一导电类型半导体衬底以及位于第一导电类型半导体衬底上方的第一导电类型外延层;本发明提供的MOS型超结功率器件的终端结构,降低了终端区内电荷不平衡的影响,增强了终端区内部的电场强度,提升了终端区的耐压水平。本发明适用于各种电子产品。
搜索关键词: 一种 mos 型超结 功率 器件 终端 结构
【主权项】:
暂无信息
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